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RD70HVF1C MITSUBISHI Transistor final de potencia
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RD70HVF1C MITSUBISHI Transistor final de potencia

49,00 €
Impuestos incluidos

MOSFET Mitsubishi RD70HVF1C

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RD70HVF1C 

MITSUBISHI Transistor final de potencia RF MOSFET 

MOSFET RD70HVF1C ORIGINAL

Mitsubishi Silicon MOSFET Power




ParameterLevelValueUnit
Supply situation   In production  
Drain Voltage Typ 12.5 V
Frequency   175 / 520 MHz
Output Power (Min)   70 / 50 W
Package   Ceramic(Large)  
Input Power (Typ)   4/ 10 W
Drain Efficiency (Min)   50 / 50 %
Feature   built in Gate Protection Diode  
RoHS Directive   Compliant with RoHS （2011/65/EU、(EU) 2015/863）



  • Referencia
    RD70HVF1C
  • Estado
    Nuevo
Security policy
(edit with the Customer Reassurance module)
Delivery policy
(edit with the Customer Reassurance module)
Return policy
(edit with the Customer Reassurance module)

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